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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › 2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
2SK3564(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
2SK3564(STA4,Q,M) PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
2SK3564(STA4,Q,M).pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
6667 pcs
참고 가격
USD 1.99/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M) 상세 설명

부품 번호 2SK3564(STA4,Q,M)
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 700pF @ 25V
Vgs (최대) ±30V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 40W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-220SIS
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
무게 -
원산지 -

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