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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › 2SJ438,MDKQ(M
2SJ438,MDKQ(M

2SJ438,MDKQ(M - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
2SJ438,MDKQ(M
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET P-CH
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
2SJ438,MDKQ(M.pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3651 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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2SJ438,MDKQ(M 상세 설명

부품 번호 2SJ438,MDKQ(M
부품 상태 Last Time Buy
FET 유형 -
과학 기술 -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) -
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) -
Vgs (th) (최대) @ Id -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds -
Vgs (최대) -
FET 기능 -
전력 발산 (최대) -
Rds On (최대) @ Id, Vgs -
작동 온도 -
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-220NIS
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
무게 -
원산지 -

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