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2SJ360(TE12L,F)

2SJ360(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호: 2SJ360(TE12L,F)
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명: MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: 2SJ360(TE12L,F) PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: 2SJ360(TE12L,F).pdf
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 3908 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

2SJ360(TE12L,F) 상세 설명

부품 번호	2SJ360(TE12L,F)
부품 상태	Obsolete
FET 유형	P-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	6.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	155pF @ 10V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	500mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 500mA, 10V
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	PW-MINI
패키지 / 케이스	TO-243AA
무게	-
원산지	-

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