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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › 2SC5095-R(TE85L,F)
2SC5095-R(TE85L,F)

2SC5095-R(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
2SC5095-R(TE85L,F)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
TRANSISTOR NPN MM-USM
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3886 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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2SC5095-R(TE85L,F) 상세 설명

부품 번호 2SC5095-R(TE85L,F)
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 10V
빈도 - 전환 10GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz
이득 13dB ~ 7.5dB
전력 - 최대 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 7mA, 6V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 15mA
작동 온도 125°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 SC-70
무게 -
원산지 -

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