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집 › 제품 카테고리 › 집적 회로(IC) › 메모리 › TH58BYG3S0HBAI6
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6 - Toshiba Memory America, Inc.

부품 번호
TH58BYG3S0HBAI6
제조사
Toshiba Memory America, Inc.
간단한 설명
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
TH58BYG3S0HBAI6 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
메모리
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
15407 pcs
참고 가격
USD 11.88/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

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TH58BYG3S0HBAI6 상세 설명

부품 번호 TH58BYG3S0HBAI6
부품 상태 Active
메모리 유형 Non-Volatile
메모리 형식 FLASH
과학 기술 FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 8Gb (1G x 8)
클럭 주파수 -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 25ns
액세스 시간 -
메모리 인터페이스 -
전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 -
공급 업체 장치 패키지 67-VFBGA (6.5x8)
무게 -
원산지 -

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