CSD19538Q2T

CSD19538Q2T - Texas Instruments

부품 번호
CSD19538Q2T
제조사
Texas Instruments
간단한 설명
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
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3750 pcs
참고 가격
USD 0.506/pcs
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CSD19538Q2T 상세 설명

부품 번호 CSD19538Q2T
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 3.8V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 5.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 454pF @ 50V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 5A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad
무게 -
원산지 -

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