TSM3N80CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

부품 번호	TSM3N80CH C5G
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	696pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	94W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-251 (IPAK)
패키지 / 케이스	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
TSM3N100CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252	세부
TSM3N80CH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251	세부
TSM3N80CI C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A ITO220	세부
TSM3N80CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252	세부
TSM3N80CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220	세부
TSM3N90CH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251	세부
TSM3N90CI C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220	세부
TSM3N90CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252	세부
TSM3N90CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220	세부