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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › STI200N6F3
STI200N6F3

STI200N6F3 - STMicroelectronics

부품 번호
STI200N6F3
제조사
STMicroelectronics
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
STI200N6F3 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
STI200N6F3.pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3597 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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STI200N6F3 상세 설명

부품 번호 STI200N6F3
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 101nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6265pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 330W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 60A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 I2PAK
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
무게 -
원산지 -

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