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| 부품 번호 | SI88320EC-IS |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 과학 기술 | Capacitive Coupling |
| 유형 | General Purpose |
| 고립 된 힘 | No |
| 채널 수 | 2 |
| 입력 - 측면 1 / 측면 2 | 2/0 |
| 채널 유형 | Unidirectional |
| 전압 - 절연 | 5000Vrms |
| 공통 모드 과도 내성 (최소) | 40kV/µs |
| 데이터 속도 | 100Mbps |
| 전달 지연 tpLH / tpHL (최대) | 18ns, 23ns |
| 펄스 폭 왜곡 (최대) | 7ns |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 2.5ns, 2.5ns |
| 전압 - 공급 | 3V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 공급 업체 장치 패키지 | 20-SOIC |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | 세부 |
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SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT | 세부 |
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SI8805EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT | 세부 |
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SI8806DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT | 세부 |
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SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT | 세부 |
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SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | 세부 |
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SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | 세부 |
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | 세부 |
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SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT | 세부 |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | 세부 |
