부품 번호 | US6M2GTR |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N and P-Channel |
FET 기능 | Standard |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V, 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A, 1A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
전력 - 최대 | 1W |
작동 온도 | 150°C |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
공급 업체 장치 패키지 | TUMT6 |
무게 | - |
원산지 | - |