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SH8M13GZETB - Rohm Semiconductor

부품 번호: SH8M13GZETB
제조사: Rohm Semiconductor
간단한 설명: MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: SH8M13GZETB PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 63306 pcs
참고 가격: USD 0.4028/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

SH8M13GZETB 상세 설명

부품 번호	SH8M13GZETB
부품 상태	Active
FET 유형	N and P-Channel
FET 기능	-
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	6A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	18nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1200pF @ 10V
전력 - 최대	2W
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지	8-SOP
무게	-
원산지	-

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