R8005ANJFRGTL - Rohm Semiconductor

부품 번호	R8005ANJFRGTL
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	500pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	120W (Tc)
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	LPTS
패키지 / 케이스	SC-83
무게	-
원산지	-

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	R8005ANJFRGTL	Rohm Semiconductor	R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W	세부
	R8005ANX	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 5A TO220	세부