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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드 › EMH11T2R
EMH11T2R

EMH11T2R - Rohm Semiconductor

부품 번호
EMH11T2R
제조사
Rohm Semiconductor
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
EMH11T2R PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
EMH11T2R.pdf
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
278173 pcs
참고 가격
USD 0.0969/pcs
우리의 가격
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EMH11T2R 상세 설명

부품 번호 EMH11T2R
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) 10k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) 10k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 500nA
빈도 - 전환 250MHz
전력 - 최대 150mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 EMT6
무게 -
원산지 -

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