| 부품 번호 | EMD9FHAT2R |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | - |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | - |
| 빈도 - 전환 | 250MHz |
| 전력 - 최대 | 150mW |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급 업체 장치 패키지 | EMT6 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
