• 대한민국
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 › 2SC4617EBHZGTLR
2SC4617EBHZGTLR

2SC4617EBHZGTLR - Rohm Semiconductor

부품 번호
2SC4617EBHZGTLR
제조사
Rohm Semiconductor
간단한 설명
2SC4617EBHZG IS BIPOLAR TRANSIST
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
2SC4617EBHZGTLR PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3071262 pcs
참고 가격
USD 0.05361/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 2SC4617EBHZGTLR

2SC4617EBHZGTLR 상세 설명

부품 번호 2SC4617EBHZGTLR
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 150mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
전력 - 최대 150mW
빈도 - 전환 180MHz
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490
공급 업체 장치 패키지 EMT3F (SOT-416FL)
무게 -
원산지 -

관련 제품 2SC4617EBHZGTLR

영상 부품 번호 제조사 기술 전망
2SC4600 2SC4600 KEXIN NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 세부
2SC4601 2SC4601 KEXIN NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 세부
2SC4602 2SC4602 KEXIN NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 세부
2SC4603 2SC4603 FUJI Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor 세부
2SC4603R 2SC4603R FUJI Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor 세부
2SC4604,F(J 2SC4604,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 3A 50V TO226-3 세부
2SC4604,T6F(J 2SC4604,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 3A 50V TO226-3 세부
2SC4604,T6F(M 2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 3A 50V TO226-3 세부
2SC4614S-AN 2SC4614S-AN ON Semiconductor TRANS NPN 160V 1.5A NMP 세부
2SC4614T-AN 2SC4614T-AN ON Semiconductor TRANS NPN 160V 1.5A NMP 세부