NTH027N65S3F-F155 - ON Semiconductor

부품 번호	NTH027N65S3F-F155
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	27.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 7.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	259nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	7690pF @ 400V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	595W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-247-3
패키지 / 케이스	TO-247-3
무게	-
원산지	-

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	NTH027N65S3F-F155	ON Semiconductor	SF3 FRFET 650V 27MOHM	세부
	NTH027N65S3F_F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P	세부