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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 › MSD601-RT1G
MSD601-RT1G

MSD601-RT1G - ON Semiconductor

부품 번호
MSD601-RT1G
제조사
ON Semiconductor
간단한 설명
TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
6340022 pcs
참고 가격
USD 0.02597/pcs
우리의 가격
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MSD601-RT1G 상세 설명

부품 번호 MSD601-RT1G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V
전력 - 최대 200mW
빈도 - 전환 -
작동 온도 -
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SC-59
무게 -
원산지 -

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