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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › MMBTH10M3T5G
MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G - ON Semiconductor

부품 번호
MMBTH10M3T5G
제조사
ON Semiconductor
간단한 설명
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT-723
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
140000 pcs
참고 가격
USD 0.0389/pcs
우리의 가격
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MMBTH10M3T5G 상세 설명

부품 번호 MMBTH10M3T5G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 25V
빈도 - 전환 650MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 -
전력 - 최대 265mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-723
공급 업체 장치 패키지 SOT-723
무게 -
원산지 -

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