IRFU120_R4941 - ON Semiconductor

부품 번호	IRFU120_R4941
부품 상태	Obsolete
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	8.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (최대) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (최대)	-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	350pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	-
작동 온도	-
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	I-PAK
패키지 / 케이스	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IRFU1010Z	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK	세부
IRFU1010ZPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK	세부
IRFU1018EPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK	세부
IRFU110	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK	세부
IRFU110PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK	세부
IRFU1117-33CDTR	IR	IRFU1117-33CDTR IR TO-252 New Original Stocks	세부
IRFU120	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK	세부
IRFU1205	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK	세부
IRFU1205PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK	세부
IRFU120A	IR	IRFU120A IR TO251 New Original Stocks	세부