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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 › 2SA2012-TD-E
2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E - ON Semiconductor

부품 번호
2SA2012-TD-E
제조사
ON Semiconductor
간단한 설명
TRANS PNP 30V 5A SOT89-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
2SA2012-TD-E PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
90000 pcs
참고 가격
USD 0.1559/pcs
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2SA2012-TD-E 상세 설명

부품 번호 2SA2012-TD-E
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 5A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 30V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 210mV @ 30mA, 1.5A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
전력 - 최대 3.5W
빈도 - 전환 420MHz
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-243AA
공급 업체 장치 패키지 PCP
무게 -
원산지 -

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