| 부품 번호 | A2T18S261W12NR3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 회수 | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| 이득 | 18.2dB |
| 전압 - 테스트 | 28V |
| 전류 정격 | 10µA |
| 잡음 지수 | - |
| 전류 - 테스트 | 1.5A |
| 전력 출력 | 280W |
| 전압 - 정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | OM-880X-2L2L |
| 공급 업체 장치 패키지 | OM-880X-2L2L |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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A2T18H100-25SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ | 세부 |
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A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | 세부 |
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A2T18H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | 세부 |
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A2T18H450W19SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | 세부 |
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A2T18H455W23NR6 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | 세부 |
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A2T18S160W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | 세부 |
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A2T18S160W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | 세부 |
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A2T18S162W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | 세부 |
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A2T18S162W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | 세부 |
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A2T18S165-12SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | 세부 |
