| 부품 번호 | PMCXB1000UEZ |
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| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 590mA (Ta), 410mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 285mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 공급 업체 장치 패키지 | DFN1010B-6 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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PMCXB1000UEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6 | 세부 |
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PMCXB900UE | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | 세부 |
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PMCXB900UELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL | 세부 |
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PMCXB900UEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | 세부 |
