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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - JFET › MX2N5116
MX2N5116

MX2N5116 - Microsemi Corporation

부품 번호
MX2N5116
제조사
Microsemi Corporation
간단한 설명
N CHANNEL JFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
MX2N5116 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - JFET
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3682 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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MX2N5116 상세 설명

부품 번호 MX2N5116
부품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
전압 - 고장 (V (BR) GSS) 30V
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 25mA @ 15V
전류 드레인 (Id) - 최대 -
전압 - 컷오프 (VGS off) @ ID 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 27pF @ 15V
저항 - RDS (켜짐) 175 Ohm
전력 - 최대 500mW
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급 업체 장치 패키지 TO-18
무게 -
원산지 -

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