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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › MSC1175M
MSC1175M

MSC1175M - Microsemi Corporation

부품 번호
MSC1175M
제조사
Microsemi Corporation
간단한 설명
TRANS RF BIPO 400W 12A M218
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
MSC1175M PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
116 pcs
참고 가격
USD 228.438/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

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MSC1175M 상세 설명

부품 번호 MSC1175M
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 65V
빈도 - 전환 1.025GHz ~ 1.15GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 8dB
전력 - 최대 400W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 12A
작동 온도 250°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 M218
공급 업체 장치 패키지 M218
무게 -
원산지 -

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