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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › MS1512
MS1512

MS1512 - Microsemi Corporation

부품 번호
MS1512
제조사
Microsemi Corporation
간단한 설명
TRANS BIPO NPN M122
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
MS1512 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
463 pcs
참고 가격
USD 56.8855/pcs
우리의 가격
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MS1512 상세 설명

부품 번호 MS1512
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 25V
빈도 - 전환 860MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 10dB
전력 - 최대 19.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce -
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 1.2A
작동 온도 200°C (TJ)
실장 형 Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스 M122
공급 업체 장치 패키지 M122
무게 -
원산지 -

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