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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › MS1006
MS1006

MS1006 - Microsemi Corporation

부품 번호
MS1006
제조사
Microsemi Corporation
간단한 설명
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
MS1006 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
54950 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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MS1006 상세 설명

부품 번호 MS1006
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 55V
빈도 - 전환 30MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 14dB
전력 - 최대 127W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 19 @ 1.4A, 6V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 3.25A
작동 온도 200°C
실장 형 Stud Mount
패키지 / 케이스 M135
공급 업체 장치 패키지 M135
무게 -
원산지 -

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