| 부품 번호 | JANTXV2N3810U |
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| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP (Dual) |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 50mA |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 60V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 10µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| 전력 - 최대 | 350mW |
| 빈도 - 전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-78-6 Metal Can |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-78-6 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 세부 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 세부 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 세부 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 세부 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 세부 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 세부 |
