| 부품 번호 | APT65GP60L2DQ2G |
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| 부품 상태 | Not For New Designs |
| IGBT 형 | PT |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 600V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 198A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) | 250A |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| 전력 - 최대 | 833W |
| 스위칭 에너지 | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 210nC |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 30ns/90ns |
| 시험 조건 | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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APT65GP60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 833W TMAX | 세부 |
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APT65GP60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | 세부 |
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APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 198A 833W TO264 | 세부 |
