대한민국
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

APT43GA90B - Microsemi Corporation

부품 번호: APT43GA90B
제조사: Microsemi Corporation
간단한 설명: IGBT 900V 78A 337W TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: APT43GA90B PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 127 pcs
참고 가격: USD 8.01/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

APT43GA90B 상세 설명

부품 번호	APT43GA90B
부품 상태	Active
IGBT 형	PT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	900V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)	78A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)	129A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic	3.1V @ 15V, 25A
전력 - 최대	337W
스위칭 에너지	875µJ (on), 425µJ (off)
입력 유형	Standard
게이트 차지	116nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C	12ns/82ns
시험 조건	600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)	-
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-247-3
공급 업체 장치 패키지	TO-247 [B]
무게	-
원산지	-

관련 제품 APT43GA90B

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	세부
	APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	세부
	APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	세부
	APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	세부
	APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	세부
	APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	세부
	APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	세부
	APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	세부
	APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	세부
	APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	세부