| 부품 번호 | MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | 24Gb (384M x 64) |
| 클럭 주파수 | 1600MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 전압 - 공급 | 1.1V |
| 작동 온도 | -30°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA | 세부 |
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MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 6GBIT 1.6GHZ FBGA | 세부 |
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MT53B384M16D1Z0APWC1 | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 6GBIT DIE | 세부 |
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MT53B384M16D1Z0AQWC1 | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 6GBIT DIE | 세부 |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | 세부 |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | 세부 |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | 세부 |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | 세부 |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | 세부 |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | 세부 |
