| 부품 번호 | MT49H32M9BM-25:B |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | DRAM |
| 메모리 크기 | 288Mb (32M x 9) |
| 클럭 주파수 | 400MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | 20ns |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 144-TFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT49H32M18BM-18:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18BM-18:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18BM-25:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18BM-25:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18BM-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18BM-25E:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18BM-33:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 300MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18BM-33:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 300MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18CBM-18:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 세부 |
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MT49H32M18CBM-18:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA | 세부 |
