| 부품 번호 | MT46V128M4FN-75:D TR |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - DDR |
| 메모리 크기 | 512Mb (128M x 4) |
| 클럭 주파수 | 133MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 액세스 시간 | 750ps |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 60-TFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 60-FBGA (10x12.5) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT46V128M4BN-5B:F | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4BN-5B:F TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4BN-6:D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4BN-6:D TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4BN-6:F | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4BN-6:F TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4BN-75:D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4BN-75:D TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT46V128M4CY-5B:J | Micron Technology Inc. | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | 세부 |
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MT46V128M4CY-5B:J TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | 세부 |
