| 부품 번호 | MT41J256M16LY-091G:N |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - DDR3 |
| 메모리 크기 | 4Gb (256M x 16) |
| 클럭 주파수 | 1GHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 96-TFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 96-FBGA (7.5x13.5) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT41J256M16HA-093 J:E | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-093:E | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1067MHZ 96BGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-093:E TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-093G:E | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1067MHZ 96BGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-093G:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1067MHZ 96BGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-107:E | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-107:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-125:E | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA | 세부 |
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MT41J256M16HA-125:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA | 세부 |
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MT41J256M16LY-091G:N | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1GHZ 96BGA | 세부 |
