| 부품 번호 | MT40A512M8RH-083E AAT:B |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - DDR4 |
| 메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) |
| 클럭 주파수 | 1.2GHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.14V ~ 1.26V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT40A512M16HA-083E IT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ | 세부 |
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MT40A512M16HA-083E IT:A TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 8GBIT 1.2GHZ 96BGA | 세부 |
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MT40A512M16HA-083E:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ | 세부 |
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MT40A512M16HA-083E:A TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 8GBIT 1.2GHZ 96BGA | 세부 |
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MT40A512M16JY-062E IT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ | 세부 |
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MT40A512M16JY-062E IT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ | 세부 |
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MT40A512M16JY-062E:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ | 세부 |
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MT40A512M16JY-062E:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ | 세부 |
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MT40A512M16JY-075E AIT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ | 세부 |
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MT40A512M16JY-075E AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 8GBIT 1.33GHZ 96BGA | 세부 |
