| 부품 번호 | MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 형식 | FLASH |
| 과학 기술 | FLASH - NAND |
| 메모리 크기 | 512Gb (64G x 8) |
| 클럭 주파수 | 166MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA | 세부 |
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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ | 세부 |
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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152LBGA | 세부 |
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MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ TLGA | 세부 |
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MT29F512G08AUEBBH8-12:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | 세부 |
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MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | 세부 |
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MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 83MHZ TLGA | 세부 |
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MT29F512G08CECBBJ4-37:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ | 세부 |
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MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | 세부 |
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MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | 세부 |
