| 부품 번호 | EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| 메모리 크기 | 4Gb (128M x 32) |
| 클럭 주파수 | 533MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.14V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TC) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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EDB4432BBBH-1D-F-D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA | 세부 |
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EDB4432BBBH-1D-F-R TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1D-F-D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1D-F-R | Micron Technology Inc. | DRAM LPDDR2 128MX32 FBGA | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 134FBGA | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ | 세부 |
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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ | 세부 |
