MCQ12N06-TP - Micro Commercial Co

부품 번호	MCQ12N06-TP
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	12A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1988pF @ 30V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	3.1W
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	8-SOP
패키지 / 케이스	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
무게	-
원산지	-