부품 번호 | IXDN609SIATR |
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부품 상태 | Active |
구동 구성 | Low-Side |
채널 유형 | Single |
드라이버 수 | 1 |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
전압 - 공급 | 4.5 V ~ 35 V |
논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 9A, 9A |
입력 유형 | Non-Inverting |
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | - |
상승 / 하강 시간 (일반) | 22ns, 15ns |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
공급 업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
무게 | - |
원산지 | - |