| 부품 번호 | IXZ631DF12N100 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 구동 구성 | High-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압 - 공급 | 8 V ~ 20 V |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 72A, 72A |
| 입력 유형 | Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 1000V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 2.4ns, 1.55ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 10-SMD, Flat Lead |
| 공급 업체 장치 패키지 | 10-SMD |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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IXZ631DF12N100 | IXYS | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | 세부 |
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IXZ631DF18N50 | IXYS | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | 세부 |
