| 부품 번호 | IXTY18P10T |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2100pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 83W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 9A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-252 |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | 세부 |
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IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | 세부 |
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IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | 세부 |
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IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | 세부 |
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IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | 세부 |
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IXTY02N50D TRL | IXYS | MOSFET N-CH | 세부 |
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IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | 세부 |
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IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | 세부 |
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IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | 세부 |
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IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | 세부 |
