| 부품 번호 | IXTU01N100 |
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| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1000V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 25µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 54pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 25W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-251 |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | 세부 |
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IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | 세부 |
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IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | 세부 |
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IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | 세부 |
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IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | 세부 |
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IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | 세부 |
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IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | 세부 |
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IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | 세부 |
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IXTU12N06T | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 | 세부 |
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IXTU1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 | 세부 |
