| 부품 번호 | IXTT50P085 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 85V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4200pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 300W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 25A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-268 |
| 패키지 / 케이스 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IXTT02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 | 세부 |
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IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | 세부 |
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IXTT10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | 세부 |
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IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | 세부 |
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IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | 세부 |
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IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | 세부 |
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IXTT110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | 세부 |
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IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | 세부 |
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IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | 세부 |
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IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | 세부 |
