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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › IXTQ60N20L2
IXTQ60N20L2

IXTQ60N20L2 - IXYS

부품 번호
IXTQ60N20L2
제조사
IXYS
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
145 pcs
참고 가격
USD 14.28/pcs
우리의 가격
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IXTQ60N20L2 상세 설명

부품 번호 IXTQ60N20L2
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 255nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10500pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 540W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 30A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-3P
패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
무게 -
원산지 -

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