IXFY8N65X2 - IXYS

부품 번호	IXFY8N65X2
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	790pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	150W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	TO-252AA
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXFY26N30X3	IXYS	300V/26A ULTRA JUNCTION X3-CLASS	세부
IXFY30N25X3	IXYS	MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA	세부
IXFY36N20X3	IXYS	200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS	세부
IXFY4N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 4A TO-252	세부
IXFY4N85X	IXYS	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3	세부
IXFY5N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 5A TO-252	세부
IXFY8N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	세부