IXFQ72N20X3 - IXYS

부품 번호	IXFQ72N20X3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4.5V @ 1.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	3780pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	320W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-3P
패키지 / 케이스	TO-3P-3, SC-65-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXFQ10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	세부
IXFQ120N25X3	IXYS	MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P	세부
IXFQ12N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P	세부
IXFQ140N20X3	IXYS	200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	세부
IXFQ14N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P	세부
IXFQ20N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P	세부
IXFQ21N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P	세부
IXFQ22N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 22A TO3P	세부
IXFQ23N60Q	IXYS	MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)	세부
IXFQ24N50P2	IXYS	500V POLAR2 HIPERFETS	세부