IXFP12N65X2 - IXYS

부품 번호	IXFP12N65X2
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	18.5nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1134pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	180W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-220AB
패키지 / 케이스	TO-220-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXFP102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-220	세부
IXFP10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	세부
IXFP10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-220	세부
IXFP110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-220	세부
IXFP12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220	세부
IXFP12N50PM	IXYS	MOSFET N-CH 500V 6A TO-220	세부
IXFP12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	세부
IXFP130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	세부
IXFP130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	세부
IXFP130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	세부