IXFN300N20X3 - IXYS

부품 번호	IXFN300N20X3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	300A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4.5V @ 8mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	375nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	23800pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	695W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Chassis Mount
공급 업체 장치 패키지	SOT-227B
패키지 / 케이스	SOT-227-4, miniBLOC
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXFN100N10S1	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	세부
IXFN100N10S2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	세부
IXFN100N10S3	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	세부
IXFN100N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B	세부
IXFN100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B	세부
IXFN100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	세부
IXFN100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227	세부
IXFN100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	세부
IXFN102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B	세부
IXFN106N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B	세부