| 부품 번호 | IXFK34N80 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 34A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 8mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7500pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 560W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 17A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-264AA (IXFK) |
| 패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
IXF1002EC | LEVELONE | IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks | 세부 |
 |
IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | 세부 |
 |
IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | 세부 |
|
IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | 세부 |
 |
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | 세부 |
|
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | 세부 |
|
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | 세부 |
|
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 세부 |
|
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | 세부 |
|
IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | 세부 |
