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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › IXCY01N90E
IXCY01N90E

IXCY01N90E - IXYS

부품 번호
IXCY01N90E
제조사
IXYS
간단한 설명
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
IXCY01N90E.pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3733 pcs
참고 가격
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IXCY01N90E 상세 설명

부품 번호 IXCY01N90E
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 25µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 133pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 40W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 50mA, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 TO-252
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게 -
원산지 -

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