SPD30N03S2L10GBTMA1 상세 설명
부품 번호 |
SPD30N03S2L10GBTMA1 |
부품 상태 |
Obsolete |
FET 유형 |
N-Channel |
과학 기술 |
MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) |
30V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
30A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id |
2V @ 50µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
41.8nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
1550pF @ 25V |
Vgs (최대) |
±20V |
FET 기능 |
- |
전력 발산 (최대) |
100W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs |
10 mOhm @ 30A, 10V |
작동 온도 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 |
PG-TO252-3 |
패키지 / 케이스 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
무게 |
- |
원산지 |
- |
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